В moviNAND модулей на основе 30-нм микросхемы флэш-памяти

Южнoкoрeйскaя кoмпaния Samsung Элeктрoникa с гoрдoстью oбъявляeт o нaчaлe пoстaвoк нa мировой рынок флэш-памяти moviNAND объемом 32 ГБ, которые являются первыми устройствами хранения данных, на основе 30-Нм интегральные микросхемы флэш-памяти. В сравнении с предыдущим поколением модели moviNAND устройства имеют в два раза большую емкость и позволяют небольшие размеры для хранения больших объемов данных.
Решения представляют moviNAND флэш-памяти, встроенной в современные портативные электронные устройства, и играет роль встроенной памяти. Не удивительно, что они полностью поддерживают стандарт, встроенный ГМК (Эммс), а именно, в окончательном варианте объем памяти eMMC В4.3, особенностью которого является возможность перевода привода в режим ожидания и низкое время возвращения полноценной работы правительства. Результатом является снижение потребляемой мощности хранения. Для передачи данных применяется высокоскоростной интерфейс, разработанный JEDEC и MMCA (Ассоциации мультимедийная карта).

Каждый модуль moviNAND объемом 32 ГБ осуществляется на основе восьми интегральных схем емкостью памяти 32 ГБ, выполненная в 30-нм техпроцессу. Конструкция устройства включает в себя регулятор ГМК. В дополнение к «топовой» версии moviNAND Samsung выводит на рынок, а также параметры 16 ГБ, 8 ГБ и 4 ГБ.

Комментарии и пинги к записи запрещены.

Комментарии закрыты.