24 мая 2022 
adminGWP 
Пo инфoрмaции Business Post, кoмпaния Samsung Electronics испытывaeт труднoсти пo мaссoвoму прoизвoдству 3-нм чипoв с тexпрoцeссoм GAA.
В oтчeтe гoвoрится, чтo как определенный процент (по сообщениям, 10-20%) штампов чипов, вырезанных с пластины, может пройти поверка качества. Считается, что причиной таковский низкой производительности является собственная конфигурация транзисторов Gate-all-around (GAA). Всё-таки с точки зрения производительности и энергоэффективности 3-нм методика Samsung Electronics значительно превзошла предварительный. Ant. последующий процесс. По данным IC Nolage, 3-нм суд Samsung Electronics обеспечивает подтягивание интеграции в 1,35 раза, подтягивание производительности на 35% возле использовании той же мощности и пикирование энергопотребления на 50% рядом использовании той же мощности. Фиксировано, что результаты поспешного внедрения процедуры GAA приводят к повышению производительности. TSMC, преобладающий конкурент Samsung, по-прежнему использует свою существующую технологию FinFET в целях 3-нм микропроцессоров, хотя осуществл было отложено до конца годы из-за проблем с выходом продукции. В конце концов, предвидится, что Apple, крупнейший абонент TSMC, первой применит 3-нм технологию в процессорах iPhone 2023 возраст.
Категория: